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石英晶體振蕩器的激勵水平可根據晶體振蕩器在不同工作條件下的功耗或電流水平來表示。若使用過高功率驅動晶體振蕩器工作，可能導致頻率不穩定等特性劣化，并存在損壞石英芯片的風險。使用前建議在電路設計時確保所用激勵水平不超過絕對最大激勵值。

負載電容（CL）是振蕩電路中用于確定晶體振蕩器頻率的參數。負載電容可通過振蕩電路中添加至晶體振蕩器的電容值得知（參見圖12）。由于振蕩電路負載電容不同，晶體振蕩器的頻率將相應變化。為獲得目標頻率精度，晶體振蕩器必須與負載電容匹配。使用時請根據對應晶體振蕩器的負載電容值，將振蕩電路的負載電容設置為匹配值。